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Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性

2025China.cn   2023年05月23日

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出17款新型第三代650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,正向压降、电容电荷和反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。

日前发布的新一代SiC二极管包括4A至40A器件,采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封装和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面贴装封装。由于采用MPS结构,器件正向压降比上一代解决方案低0.3V,正向压降与电容电荷乘积,即电源能效重要优值系数(FOM),相比上一代解决方案降低17%。

与接近的竞品解决方案相比,二极管室温下典型反向漏电流低30%,高温下低70%。因此降低了导通损耗,确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同,第三代器件几乎没有恢复拖尾,从而能够进一步提升效率。

与击穿电压相当的硅二极管相比,SiC二极管热导率高,反向电流低,反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响,可在+175 °C高温下工作,不会因开关损耗造成能效变化。

器件典型应用包括发电和勘探应用领域FBPS和LLC转换器中的AC/DC功率因数校正(PFC)和 DC/DC超高频输出整流。器件具有高可靠性,符合RoHS标准,无卤素,通过2000小时高温反偏(HTRB)测试和2000次热循环温度循环测试,测试时间和循环次数是AEC-Q101规定的两倍。

新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产,供货周期为八周。

(Vishay)

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