物联网

纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515

2025China.cn   2023年02月24日

纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515,专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET,IGBT而设计,可广泛应用于工业变频器、伺服、机器人,空调压缩机,新能源汽车主驱,光伏逆变器、储能、UPS、高功率电源等领域。

NSi68515输入方式兼容光耦输入,且输入端与输出端采用双电容增强隔离技术,基于纳芯微Adaptive OOK编码技术, 支持150kV/μs的最小共模瞬变抗扰度(CMTI),提高系统鲁棒性。

NSi68515产品特性:

- 具备超强驱动能力,可以提供最大5A的拉灌电流

- 提供轨到轨输出和非轨到轨输出两个版本

- 输入侧电源电压VCC:3V至5.5V

- 输入方式兼容光耦电流型输入,可耐-6.5V反向电压

- 驱动器侧电源正压轨VCC2:高达35V

- 驱动器侧电源负压轨VEE2:高达-17.5V

- 超高的最小共模抗扰能力(CMTI):150 kV/us

- 提供完善的保护功能

● 快速过流和短路保护,DESAT阈值电压6.5V

● 集成故障时的软关断功能,软关断电流140mA

● 集成米勒钳位功能,钳位电流高达:4.5A

● 高压侧和低压侧均有独立的供电欠压保护功能UVLO

● 故障报警 (FLT / ULVO引脚指示)

● 可支持故障自动复位版本选择

- 典型传播延时:100ns

- 工作环境温度:-40℃ ~ 125℃

- 符合 RoHS 标准的封装类型:SOW16, 爬电距离>8mm

NSi68515经典电路图

NSi68515 CMTI高,领先行业水平,提高了系统的抗干扰能力

行业内常见的带保护的光耦隔离驱动IC,CMTI 一般在35KV/us。随着系统的开关频率和母线电压的提高,以及SiC MOSFET的普及使用, 系统的dv/dt 急剧上升,这对隔离驱动的抗干扰能力(CMTI)提出了更高的要求。如果隔离驱动IC 的CMTI只有35KV/us,显然已经很难满足系统的要求。而NSi68515 CMTI 大于150KV/us,能够有效提高系统的抗干扰能力。纳芯微基于NSi68515做了静态CMTI和动态CMTI 摸底实验,实验结果是218KV/us均PASS;而同样的测试条件下,普通的光耦隔离驱动在30KV/us左右便已经Fail。

NSi68515 短路保护时间快,提高了管子的鲁棒性

当IGBT 和 SiC MOSFET正常开通时,是在饱和区进行工作的;但当IGBT 和 SiC MOSFET在开通过程中,发生过流或者上下管短路的时候,电流便会急剧增大,就会退出饱和区,VCE也随之增大,如果不及时关断IGBT 和 SiC MOSFET,则会导致管子损坏或者使用寿命变短。NSi68515 通过DESAT 引脚检测管子的VCE 电压来判断管子短路和过流,当检测到管子异常后,能够快速关断管子,防止管子损坏。此外,NSi68515 DESAT引脚内部还做了滤波处理,防止系统误触发。

NSi68515产品选型表

(纳芯微)

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