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七星华创卧式PECVD平板型等离子增强化学气相淀积系统 | 03-09 |  |
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产品参数
结构形式:单管或多管卧式热壁型
淀积薄膜:多晶硅、氮化硅、二氧化硅
生产率:100片/炉
膜厚度均匀性:片内 ≤±5％ 片间 ≤±7％ 批间 |
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七星华创等离子清洗机 | 01-25 | |
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产品参数
腔体尺寸:450mm450mm600mm(WHD)
清洗工件尺寸:300mm120mm10mm(WLH)
反应室极限真空:1Pa
射频电源:13.56MHz 50～600 |
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七星华创筒式等离子去胶机 | 01-25 | |
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产品参数
刻蚀硅片直径:3″
极限真空:1.33Pa
工作压力:133～13.3Pa 自动闭环控制
刻蚀速度:100～200nm/min
均匀性:＜5％
刻蚀深度: |
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七星华创M-RIE金属刻蚀系统 | 01-25 | |
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产品参数
适合硅片尺寸:6
刻蚀介质:Al/0.5～1％ Si/0.5～4％ Cu、Ti、TiN
刻蚀速度:Al-Si-Cu＞5000埃 TiN＞2000埃
不均匀性:片内 ≤±5％ 片 |
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七星华创低压化学气相淀积系统（LPCVD） | 01-25 | |
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产品参数
硅片尺寸:适用6″（φ150mm）
装片数量:25～100片/炉管
工作温度范围:350～1100℃
温区长度及精度:760mm≤±1℃/500mm
温度梯度 |
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七星华创平板型等离子增强化学气相淀积系统（PECVD） | 01-25 | |
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产品参数
结构形式:平板型
装片能力:Φ50mm 19片
反应室极限真空度:≤0.67Pa
工艺压强范围:13.3～266Pa
淀积温度:200～450℃
温度精 |
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七星华创单管双温区立式炉 | 01-25 | |
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产品参数
工艺管外径:可配Φ120mm
操作温度:最高1150℃
上恒温区工作温度:950℃
下恒温区工作温度:900～1100℃
上恒温区长度及精度:100m |
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七星华创超高温退火炉 | 01-25 | |
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产品参数
工艺管外径:可配Φ260mm
上管工作温度范围:400～1450℃
下管工作温度范围:400～1250℃
上管恒温区长度及精度:600～1350℃ 760mm/± |
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七星华创微控扩散系统 | 01-25 | |
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产品参数
工艺管外径:可配2~6英寸
工作温度范围:400～1300℃
恒温区长度及精度:600～1250℃ 760mm/±0.5℃
单点温度稳定性:600～1250℃ ±0 |
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七星华创氢气钎焊炉 | 01-24 | |
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产品参数
外形形式:立式、卧式、钟罩式
最高温度:根据焊接材料而定，一般最高不超过1300℃
温度均匀性:±(5-7.5)℃
电气控制:手动/自动或全手 |
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七星华创氢气退火炉 | 01-24 | |
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产品参数
外形形式:立式、卧式、钟罩式
最高温度:根据客户工艺要求确定，我公司指标可达到1200℃
温度均匀性:±5℃
电气控制:手动/自动或全手 |
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七星华创氢气烧结炉 | 01-24 | |
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产品参数
外形形式:立式、卧式、钟罩式
最高温度:根据工艺材料而定，一般最高可达到1700℃
温度均匀性:±(5-7.5)℃
电气控制:手动/自动或全手 |
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七星华创真空退火炉 | 01-24 | |
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产品参数
可选择外形形式:立式、卧式、钟罩式
最高温度:根据客户工艺要求确定，我公司最高指标可达到2200℃
极限真空度:根据客户工艺要求确定，我 |
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七星华创真空脱腊烧结炉 | 01-24 | |
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产品参数
可选择外形形式:立式、卧式、钟罩式
最高温度:根据客户工艺要求确定，我公司最高指标可达到2200℃
极限真空度:110[sup]-3[/sup]Pa |
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七星华创真空钎焊炉 | 01-24 | |
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产品参数
可选择外形形式:立式、卧式、钟罩式
最高温度:根据焊接材料而定，留有空烧裕量，一般最高不超过1300℃
极限真空度:根据焊接工艺条件而定， |
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